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額定電壓(DC) |
650V |
寄生電容 |
650pF |
額定電流 | 2A | 電阻范圍 | 4Ω~5Ω |
PIP-MOS場效應(yīng)管 | |
額定電壓 | 650V |
額定電流 |
2A |
阻值范圍 |
4Ω~5Ω |
閾值電壓(Vth) |
2V~4V |
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc) |
9nc |
寄生電容(Ciss) |
650pF |
其它型號 |
|
PSx04N65 |
650V_4A_(1.9~2.9)Ω_15nc_544pF |
PSx04N65C |
650V_4A_(2.0~2.5)Ω_17.5nc_650pF |
PSx04N65B |
650V_4A_(2.1~2.5)Ω_8.5nc_450pF |
PTxOSN65 |
650V_5A_(2.0~2.5)Ω_17nc_650pF |
PTx06N65C |
650V_6A_(1.55~1.85)Ω_16nc_660pF |
P5x07N65 |
650V_7A_(1.1~1.4)Ω_25nc_1050pF |
PTx07N65B |
650V_7A_(1.2~1.4)Ω_20nc_1120pF |
PTx08N65 |
650V_8A_(0.95~1.3)Ω_28nc_1240pF |
PTxlON65B |
650V_10A_(0.75~0.9)Ω_32nc_1660pF |
PSxlON65C |
650V_10A_(0.7~0.85)Ω_43nc_1340pF |
PTx12N65 |
650V_12A_(0.6~0.75)Ω_52nc_1900pF |
PTxl3N65 |
650V_13A_(0.55~0.65)Ω_46nc_2130pF |
PTx16N65 |
650V_16A_(0.45~0.55)Ω_54nc_2442pF |
PTx20N6SA |
650V_20A_(0.33~0.5)Ω_65nc_2600pF |
PTx26N65 |
650V_26A_(0.28~0.38)Ω_78nc_4200pF |
PTW34N65 |
650V_34A_(0.13~0.19)Ω_150nc_7400pF |
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注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF
1、200V為MOS額定電壓;
2、9A為MOS額定電流;
3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值范圍;
4、16nc為MOS柵極電荷Qg;
5、670pF為Ciss寄生電容;
封裝類型
TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247
產(chǎn)品應(yīng)用
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類多個領(lǐng)域, 如消費電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動汽車等;
相關(guān)知識
1、Ciss寄生電容,最大限度降低開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。
2、RDSON為內(nèi)阻,作為開關(guān)電源的主開關(guān)MOS,以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。
3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開關(guān)完全打開,Gate極所需要的電荷量。
4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。