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PIP-MOS管

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MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)600v 2A 4.5Ω管 產(chǎn)品型號(hào):PTx02N60

  • MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)600v 2A 4.5Ω管
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:PIP高壓場(chǎng)效應(yīng)管,額定電壓600v;額定電流2A;阻值范圍3.2Ω~4.5Ω;閾值電壓(Vth)范圍2V~4V;導(dǎo)通柵極電荷量9nc;Ciss寄生電容281pF。
重點(diǎn)參數(shù):
額定電壓(DC)
600V
寄生電容 281pF
額定電流 2A 電阻范圍 3.2Ω~4.5Ω
產(chǎn)品應(yīng)用:

產(chǎn)品詳情

PIP-MOS場(chǎng)效應(yīng)管
額定電壓 600V
額定電流
2A
阻值范圍
3.2Ω~4.5Ω
閾值電壓(Vth)
2V~4V
導(dǎo)通柵極電荷量(og,nc
9nc
寄生電容(Ciss
281pF
其它型號(hào)
PSx04N60
600V_4A_(1.8~2.3)Ω_15nc_550pF
PSx04N60B
600V_4A_(2.0~2.3)Ω_8.5nc_450pF
PSxOSNGO
600V_4A_(1.75~2.2)Ω_12nc_667pF
PTx06N60C
600V_6A_(1.4~1.7)Ω_19nc_700pF
PSx07N60
600V_7A_(1~1.25)Ω_25nc_1050pF
PTx07N60B
600V_7A_(1~1.25)Ω_20nc_1120pF
PTxOSNGO
600V_8A_(0.8~1.1)Ω_29nc_1253pF
PTxlON608
600V_10A_(0.65~0.75)Ω_32nc_1660pF
PS戲ON60
600V_10A_(0.6~0.75)Ω_40nc_1560pF
PSxlON60C
600V_10A_(0.65~0.75)Ω_31nc_1264pF
PTxl2N60
600V_12A_(0.55~0.7)Ω_44nc_1540pF
PTxl3N60
600V_13A_(0.45~0.6)Ω_46nc_2120pF
PTxl6N60
600V_16A_(0.4~0.5)Ω_40nc_2400pF
PTx20N60A
600V_20A_(0.32~0.45)Ω_65nc_2600pF
PTA26N60
600V_26A_(0.25~0.35)Ω_78nc_4280pF
PTW36N60
600V_36A_(0.12~0.18)Ω_150nc_7400pF
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注解:例如,200V_9A_(0.3~0.25)Ω_16nc_670pF

1、200V為MOS額定電壓;

2、9A為MOS額定電流;

3、(0.3~0.25)Ω為MOS阻值范圍;

4、16nc為MOS柵極電荷Qg;

5、670pF為Ciss寄生電容;


封裝類(lèi)型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛, 涵蓋電子類(lèi)多個(gè)領(lǐng)域, 如消費(fèi)電子、智能家居、智能照明、工控設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)等;


相關(guān)知識(shí)

1、Ciss寄生電容,最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,另外極低的寄生電容能夠有效改善EMI電磁干擾。

2、RDSON為內(nèi)阻,作為開(kāi)關(guān)電源的主開(kāi)關(guān)MOS,以上都能能夠滿足大部分的應(yīng)用需求。

3、Qg(柵極電荷):柵極電荷Qg是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷,是指MOS開(kāi)關(guān)完全打開(kāi),Gate極所需要的電荷量。

4、Vth通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓.在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。

產(chǎn)品報(bào)價(jià):MOS高壓場(chǎng)效應(yīng)600v 2A 4.5Ω管

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